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英伟达自研HBM背后
（原标题：英伟达自研HBM背后）
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来源 ：内容来自工商时报 。
市集传出，英伟达（NVIDIA）已启动自家HBM（高频宽存储器）Base Die的设策略划，异日不管搭配那一家存储器品牌的HBM堆栈居品，底层逻辑裸片（Base Die）齐将遴选英伟达自有测度打算决议，制程节点锁定3nm，预估将于2027年下半年驱动小量试产。
此音信一出，触动HBM生态链，市集东谈主士担忧，恐改写下一代HBM市集竞争疆城。
刻下HBM市占率最高为SK海力士，其HBM Base Die多遴选克己决议。但业界指出，若HBM传输速率欲拉升至10Gbps以上，须借助台积电先进逻辑制程如12nm或更先进制程来制作Base Die，其中模范型HBM4遴选台积电12nm 制程即可扶植，关系供应链主导权仍持在SK海力士手中。
不外，存储器厂商在复杂Base Die IP与ASIC测度打算智力上相对薄弱。IC测度打算业者指出，若HBM4要整合UCIe高速界濒临外与GPU、CPU通信，则Base Die测度打算难度大幅晋升。ASIC公司如创意已具备齐全IP与测度打算平台，可提供云霄办行状者（CSP）导入。
业界分析，英伟达拟克己HBM Base Die，此举剑指ASIC市集，意图在其NVLink Fusion敞开架构平台上，提供客户更多模块化选拔，强化生态系掌控力。
但是，配资炒股外界以为，CSP大厂当初参预ASIC，恰是不肯再受英伟达制肘，因此，只怕乐于遴选英伟达的HBM Base Die，初步评估对ASIC业者的施行冲击有限。
另一方面，HBM本领龙头SK海力士来源通知，向主要客户提供新一代12层堆栈HBM4样品，连合先进MR-MUF封装本领，容量可达36GB、频宽破损每秒2TB，较前一代HBM3E带宽晋升逾60％，展刻下AI存储器市集指引地位。
SK海力士并暴露，异日将在HBM Base Die，导入环球晶圆代工指引厂的逻辑制程，以络续晋升居品效力与能耗比。
合座而言，HBM4世代将迈向更高速、更高堆栈、更复杂封装整合新局势。跟着英伟达拟克己Base Die与SK海力士加快HBM4量产，HBM市集迎来新一波竞争与变革。
https://www.ctee.com.tw/news/20250816700050-439901
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